云南锗业：磷化铟单晶片建设项目投产

近日，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司发布公告称，其控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司实施的”磷化铟单晶片建设项目”成功投产。该项目建设一条磷化铟单晶片生产线，生产线建成后将具备年产 15 万片 4 英寸磷化铟单晶片的能力。

 

磷化铟（InP）单晶是光电子、微电子器件的关键材料，作为一种新型半绝缘晶片，对于改善和提高基微电子器件的性能具有重要的意义，既保持了传统原生掺铁衬底的高阻特性，同时铁浓度大幅降低，电学性质、均匀性和一致性显著提高，主要用于制作半导体材料以及光纤通信技术。

云南锗业此前已成功投产了具有国际先进水平的2-4英寸磷化铟衬底生产线。产品被广泛应用于微波振荡器与放大器、光纤通讯率放大器等领域。

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